GAN - 程序员宅基地

StyleGAN-Tensorflow-2.0:使用TensorFlow 2.0非官方实现StyleGAN

标签： Python

StyleGAN Tensorflow 2.0 使用TensorFlow 2.0的非官方实现StyleGAN。原始论文： : 该实现不包括用于增长GAN的功能，但很快将包括多比例渐变功能。有关更多详细信息，请参见本文： : 图像样本在景观方面受过...

p型GaN欧姆接触的研究进展

标签： p型GaN欧姆接触的研究进展其它

潘群峰，刘宝林（厦门大学物理系，福建厦门 361005）摘要：宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一，近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、...

GaN紫外光阴极材料的高低温两步制备实验研究

标签：材料负电子亲 GaN紫外光高低温两光电发射表面净化 Cs/O吸附 materials negative GaN ultra high-low- photoemis surface c Cs/O adso

GaN紫外光阴极是一种表面具有负电子亲和势(NEA)状态的光电发射材料,具有电子发射效率高、暗发射小、稳定性好等众多优点,是近年来得到迅速发展的一种新型高性能紫外探测材料。采用超高真空原子吸附工艺,对金属有机物...

TensorFlow-VAE-GAN-DRAW：使用TensorFlow（深度卷积生成对抗网络（DCGAN），变分自编码器（VAE）和DRAW：...

标签： tensorflow draw recurrent-neural-networks gan vae TensorflowPython

TF-VAE-GAN-DRAW ，和TensorFlow实现。跑 VAE / GAN： python main.py --working_directory /tmp/gan --model vae 画： python main-draw.py --working_directory /tmp/gan 深度卷积生成对抗网络在使用默认...

GAN-minist-tensorflow-master.zip_GaN_tensorflow_对抗生成网络_对抗网络_生成对抗

标签： gan tensorflow 对抗生成网络对抗网络生成对抗

GAN 的基本例程，能够很好的帮助你理解生成对抗网络

PyTorch-StudioGAN:StudioGAN是一个Pytorch库，为有条件无条件图像生成提供代表性的生成对抗网络（GAN）的...

标签： Python

StudioGAN是一个Pytorch库，为有条件/无条件图像生成提供了代表性的生成对抗网络（GAN）的实现。 StudioGAN旨在为现代GAN提供一个完全相同的场所，以便机器学习研究人员可以轻松比较和分析新想法。特征PyTorch的广泛...

基于GAN的图像修复

标签： ai image

一种基于GAN对抗神经网络的图像修复算法，使用CELE-A作训练数据，采用随机掩膜MASK来损坏图片

Text-to-Image-Using-GAN

标签： Python

这是介绍的TAC-GAN模型的Tensorflow实现。文本条件辅助分类器生成对抗网络（TAC-GAN）是一种文本到图像的生成对抗网络（GAN），用于从文本描述中合成图像。 TAC-GAN在 -GAN的基础上，通过将生成的图像置于文本描述...

GaN薄膜的蓝光和红光发射机理研究

标签：发光学光致发光半导体薄发光机理 GaN 蓝和红色吸收归一 luminesce photolum semicond emission GaN blue and absorpti

由于生长工艺的不完善,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光。报道了非掺杂GaN薄膜的692 nm红色发光,并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理;利用作者提出的...

CR-GAN-master_GaN_CR-GAN_generation_wherelgw_multi-view_

标签： GaN CR-GAN generation wherelgw multi-view

CR-GAN: Learning Complete Representations for Multi-view Generation

ST- 为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1告诉你答案

标签： ST- 为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1告诉你答案

ST发布了市场也是的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管，而ST决定增加一颗GaN，实现半桥配置，并允许将MASTERGAN1用于新拓扑。在设计AC-DC...

生成式对抗网络GAN的研究进展与展望_王坤峰.pdf

标签：生成式对抗网络; 生成式模型; 零和博弈; 对抗学习; ACP方法;

生成式对抗网络GAN(Generative adversarial networks)目前已经成为人工智能学界一个热门的研究方向.GAN的基本思想源自博弈论的二人零和博弈,由一个生成器和一个判别器构成,通过对抗学习的方式来训练.目的是估测数据...

InAlN / GaN HEMT中的肖特基接触技术可改善击穿电压

标签： Breakdown voltage (BV); high-electron-mobility transistors (HEMTs); InAlN/GaN; Schottky-contact technology

在本文中，我们证明了通过使用新的肖特基接触技术，晶格匹配的In0.17Al0.83N / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的截止状态击穿电压（BV）改善了253％。基于此概念，提出了肖特基源/漏和肖特基源（SS）InAlN / GaN ...

人脸生成GAN

标签： gan 人脸生成

你将使用生成式对抗网络来生成新的人脸图像,有些模板代码已经提供给你，但还需要实现更多的功能来完成这个项目,也提供答案

GaN基肖特基结构紫外光电探测器

标签： GaN基肖特基结构紫外光电探测器

GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支...

pi-GAN-pytorch:Pytorch中用于3d感知图像合成的π-GAN的实现

标签： deep-learning artificial-intelligence generative-adversarial-network film nerf Python

π-GAN-火炬（WIP） Pytorch中用于3d感知图像合成的实现。安装 $ pip install pi-gan-pytorch 用法 from pi_gan_pytorch import piGAN , Trainer gan = piGAN ( image_size = 128 , dim = 512 ). cuda () ...

pytorch-CycleGAN-and-pix2pix

标签：人工智能深度学习 pytorch 生成式对抗网络 GAN

pytorch-CycleGAN-and-pix2pix

vegans:一个在PyTorch中提供各种现有GAN的库

标签： JupyterNotebook

素食主义者一个库，可以轻松地在PyTorch中训练各种现有的GAN（和其他生成模型）。该库主要针对GAN用户，他们希望将现有的GAN培训技术与自己的生成器/区分器一起使用。但是，研究人员可能还会发现GenerativeModel...

在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长的氨热GaN晶体的生长行为

标签：研究论文

在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长的氨热GaN晶体的生长行为在这项工作中，通过基本的氨热方法在非极性和半极性HVPE GaN晶种上生长GaN晶体。研究了各种晶面的生长行为。观察到具有不同特征的表面形态，包括丘状，...

T2F:使用StyleGan从简单的文字描述中生成人脸

标签： JupyterNotebook

T2F 使用StyleGan从简单的文字描述中生成人脸

PyTorch-GAN-master_pytorchgan_GaN_可运行！_网络多种分割化实例_

标签： pytorchgan GaN 可运行！网络多种分割化实例

里面包含多种gan网络，不同网络实现不同效果风格化

lightweight-gan:在Pytorch的ICLR 2021中提出的“轻量级” GAN的实现。可以在一两天内进行训练的高分辨率...

标签： deep-learning artificial-intelligence generative-adversarial-network Python

训练12小时后512x512鲜花，1 gpu 训练12小时后256x256朵鲜花，1 gpu 比萨``轻巧''GAN 在Pytorch的ICLR 2021中提出的实现。本文的主要贡献是发生器中的跳层激励，以及鉴别器中的自动编码自监督学习。引用单行摘要...

新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析

标签： AlGaN/GaN HEMTs 击穿电压

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。...

cyclegan预训练模型

标签： cycleg

cyclegan预训练模型,拿到测试集即可进行cyclegan的风格转换

Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells

Investigating closely stacked GaN/AlN multiple quantum wells (MQWs) by means of cathodoluminescence spectroscopy directly performed in a scanning transmission electron microscope, we have reached an ...